当前无线网络技术,激光技术以及航天航空技术快速增长,同时也带来了微电子技术的爆发式发展。而微电子工业的其中一个挑战就是新一代芯片电源功率增加同时尺寸变小。 新一代的芯片器件较高的热量损耗因此必须绑定在基座或者基板上(通常称为“热沉”)以便进行有效的“热量管理”。 热沉必须具有高导热系数以及低膨胀系数的特性,较好这两个参数能够接近于硅,砷化镓等半导体或者封装的材料的参数。 和铄HOSOCP? 0-T 钨铜热沉封装片,封装基本采用和铄生产的HOSOPM?0-T 钨铜材料,其综合了金属钨和铜的优点,既具有钨的低膨胀特性,又具有铜的高导热特性,热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整钨铜的成分而加以改变。 HOSOPM?0-T的材料优势: 不添加第三方金属元素活化烧结,高热导率。 通过调整配方可以较好的匹配砷化镓(GaAs)或者陶瓷材料的热导系数。 优良的致密性,易加工性(刀具ISO-K10, 200 m/min)。 和铄铜钨材料具有很高的耐热性和良好的导热导电性,同时又与硅片、砷化镓及陶瓷材料相匹配的热膨胀系数,主要在大规模集成电路和大功率微波器件中作为绝缘金属基片、热控板和散热元件(热沉材料)和引线框架。主要应用射频、微波、半导体大功率封装、光通信等行业。 和铄钨铜热沉应用: 微波载体/射频领域作散热底座 集成电路热沉 半导体激光器热沉 光通讯模块底座 钨铜封装外壳